NANDFlash产业在传统的FloatingGate架构面临瓶颈后，正式转进3DNANDFlash时代，目前三星电子（SamsungElectronics）、东芝（Toshiba）的3DNAND技术最早都是源自于飞索（Spansion）的ChargeTrap架构，唯一例外的是英特尔（Intel）和美光（Micron）仍是延续传统FloatingGate架构，但从64层技术开始，也都会转成ChargeTrap架构。

    技术转换往往会带给产业新一轮的洗牌战，跟不上脚步的制造商可能会从云端摔下，但也给新的供应商加入战局的机会，这次传统FloatingGate架构转换至ChargeTrap架构，给了大陆加入NANDFlash技术开发行列的一张门票，尤其是ChargeTrap始祖飞索很早就与大陆合作，双方的合作是顺水推舟，从NORFlash一路合作到ChargeTrap架构的3DNAND技术。

    各家半导体大厂的3DNAND技术早已如火如荼在开发中，目前进入32层堆叠技术，业界都认为2017年下半是3DNAND产能大量开出之时，目前看来时间点是对的，但各家半导体大场面临的考验恐怕会比预期艰钜数倍。

    过去平面NANDFlash芯片朝两方面前进，一是陆续有SLC、MLC、TLC型NANDFlash芯片的演进来提高储存容量并降低成本；二是制程技术不断往前，目前已经进入18/16/15纳米制程，但无法否认的是，技术前进的同时，其NANDFlash的氧化层越薄，芯片可靠性是递减的，因此需要用额外的方式来增强效能，这又使得成本提升，因此，平面NANDFlash技术已无法满足市场需求，开始进入3DNAND时代。

    进入3DNAND技术后，制程技术的演进成为其次，堆叠层数才是重点，层数越高会使储存容量越大。不过，当堆叠层数越高时，各层对准的技术就很困难，定位技术必须做的好，因为堆越高会越难对准。

    三星曾对外表示，不久将来会看到100层堆叠的技术出现。根据业界进度，2017年3DNAND技术会到80层，2020年到100层，至于3DNAND技术的堆叠极限在哪里里，各界也有不同的看法，有人甚至认为可堆到200层，但以目前技术挑战而言，真的堆叠到200层，恐怕对准的精准度是很大考验，可能良率也不见得太好，即使是2020年到100层，恐怕难度都很高。

    三星在3DNAND技术世代上仍是龙头厂，是全球第一家量产3DNAND技术的半导体厂，技术演进也最扎实。三星在2013年推出24层叠的3DNAND芯片，之后32层堆叠、48层堆叠的芯片陆续问世。

    三星计划今年第4季转进第四代64层堆叠技术的3DNAND芯片，估计每片晶圆的储存容量再提高30%，意味成本持续下降，三星也对外指出，100层堆叠以上的技术不是梦。

    东芝的3DNAND技术喊话也相当积极，原本号称要比三星更早量产64层堆叠技术的3DNAND芯片，但目前来看并未达阵。

    三星的3DNAND技术为3DV-NAND，而东芝（Toshiba）和新帝（SanDisk）合作开发的3DNAND技术为BiCS，或是称P-BiCS（Pipe-shapedBitCostScalable），无论是三三星的3DV-NAND架构或是东芝的BiCS架构，都是源自于ChargeTrapFlash（CTF）技术。

    目前所有开发3DNAND的存储器大厂中，只有英特尔和美光阵营不是用ChargeTrap技术，该阵营在32层技术的技术仍是沿用FloatingGate技术，应该是基于对于传统FloatingGate既济的高掌握度和成本考量。

    举例，英特尔和美光推出的第一款3DNAND虽然是用FloatingGate技术生产，但其MLC型NANDFlash核心容量就有256Gb，而TLC型可以做到384Gb，是目前TLC型3DNAND中储存容量最大的。

    英特尔和美光48层堆叠、容量32GB的3DNAND已经推出，体积和尺寸都比上一代小，效能更是提升，未来也会朝第二代64层的3DNAND技术迈进。

    值得注意的是，英特尔和美光阵营从64层堆叠技术开始，会转用ChargeTrap技术，未来应该都是此架构。

    此外，英特尔除了3DNAND技术外，也开发新型的3DXPoint快闪存储器，属于自成一格的技术派别，也让外界揣测，英特尔在下世代的NANDFlash技术上，是否有意陆续和美光画下界线。

    英特尔的3DXPoint快闪存储器问世时，引发整个半导体业界的讨论，因为当时英特尔释出的信息并不多，但陆续得知，3DXPoint快闪存储器其实是PCM相变化存储器的一种，不但可取代NANDFlash，也有机会取代DRAM。

    正值NANDFlash产业从传统FloatingGate技术转移到3DNANDFlash技术之际，既有的半导体大厂已面临不少挑战，变量还很多，但这样的转折也给了新进者一个加入战局的机会，当中最大受益者莫过于大陆。

    大陆要提升半导体芯片自制率到50%以上，消耗量庞大的存储器芯片绝对是不能缺席的要角，然要抢进已经如此成熟的产业，技术改朝换代之际是最好的时间点，大陆的存储器中心长江存储和武汉新芯就是卡到传统FloatingGate转到

    3DNANDFlash技术的转折点，又成功获得飞索（Spansion）Chargetrap技术的一臂之力，至少在进入NANDFlash产业的起跑点上，成功弯道超车拿到门票。

    飞索和武汉新芯的合作要追溯至过去武汉新芯一直帮飞索代工NORFlash芯片。在飞索2014年买给Cypress之前，飞索和三星针对Chargetrap技术打官司，在和解后三星每年要支付给飞索Chargetrap技术的权利金，飞索手上握有此技术算是大赢家，一手向三星收权利金，另一手授权给大陆Chargetrap技术。

    长江存储预计最快是2017年底量产32层技术的3DNAND，广泛而言落后国际大厂两个世代。

    但业界仍是存有疑问，因为3DNAND技术的难度太高，即使是三星、东芝等大厂3DNAND技术问世的时间点都是一再延后，三星的64层技术也要到年底才量产，长江存储/武汉新芯目前是2017年底量产32层技术的3DNAND，但能否用于商用化？以及何时能追上国际大厂的速度，前方挑战还很多。