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据businesskorea报道，三星电子将对其中国西安芯片工厂增加80亿美元的投资，以促进NAND闪存芯片的生产。三星电子表示，随着中国推出商用5G服务和英特尔发布用于服务器的冰湖CPU，明年市场需求可能会增加。

这是三星西安闪存芯片项目的二期第二阶段投资，此前108亿美元为一期投资。二期项目总投资150亿美元，第一阶段投资约70亿美元，第二阶段为80亿美元。

早在2017年8月，三星宣布未来三年将向生产NAND闪存芯片的西安工厂投资70亿美元。这项投资计划将于明年3月完成。这项投资和即将进行的投资预计将使该厂的3DNAND闪存产量至少达到每月13万片。

市场研究公司TrendForce12月12日表示，三星电子今年第三季度在全球NAND闪存市场的份额为33.5%，亚军Kioxia的份额为18.7%。与上一季度相比，三星的市场份额下降了1.4个百分点，Kioxia的市场份额上升了0.6个百分点。此外，英特尔击败海力士，市场份额从8.7%升至10.9%，名列第五。

随着时间的推移，全球对NAND闪存的需求可能会增加，因为5G将导致更多的大容量数据存储在NAND闪存中。电视制造商和内容提供商预计将在明年拉斯维加斯的CES上推出各种8K服务，这是另一个需求因素。此外，如果英特尔在明年下半年推出“冰湖”，微软、谷歌和亚马逊等云计算公司的内存芯片需求可能会超过市场供应。

来源:businesskorea

三星向西安芯片厂增投80亿美元，以应对NAND闪存需求增加

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