报道称，台积电决定今年率先量产第二版3nm制程N3B，将于今年8月于新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂两地同步投片，正式以鳍式场效晶体管（FinFET）架构，对决三星的环绕闸极（GAA）制程。

                                                                                                                                                                                                                     来源:《联合报》