据了解，在2013年量产第一代3DNAND闪存之前，三星电子与东进半导体深度合作，并公开所有工艺步骤来鼓励开发。之后东进半导体成功开发出比现有KrF光刻胶厚30%的材料。

                                                                                                                                                                                              来源:全球半导体观察