中国台湾经济日报2日报道，美国芯片法案公布补助细节，台积电董事长刘德音表态“有些条件无法接受”；韩国半导体厂也发声，直呼美国“太过分”。

       报道指出，台积电美国厂第一期工程将生产4纳米制程芯片，最快2024年就要投产；第二期工程预计2026年开始生产3纳米制程芯片。台积电对美投资额从原本的120亿美元，大幅拉升到400亿美元；韩国三星在美国德州斥资超过250亿美元建厂、SK海力士也预计在美国投资150亿美元。由于赴美生产势必会增加营运成本，因此都希望通过补助降低成本。

     但美国芯片法案不仅要求技术合作、超额利润退还、必须雇用美国当地劳工、使用美国产建材等规定，还禁止在中国大陆投资推进半导体基础设施。

      此外，该法案还设有“护栏”条款细则，若半导体企业想申请补贴，就必须提交不同芯片种类的产能、预期收益率等敏感资讯。

      3月29日，SK海力士副会长兼共同执行长朴正浩在股东大会上表示，虽然会依原定计划赴美建封装厂，但遵照美国芯片法案申请补助的程序太复杂，该公司虽然认真考虑申请，但目前尚未确定。此外，台积电董事长刘德音也罕见表示，希望能将芯片法案调整到不受负面影响。

       中国台湾经济日报指出，美国为重建半导体产业，广邀企业设厂，但多项限制让半导体企业难以接受。在美中科技竞逐的局势下，半导体代工厂如何应对，将成一大难题。

来源：中国半导体行业协会